光刻胶是一种在特定光源照射下发生局部溶解度变化的光敏材料，在集成电路制造中主 要用于光刻环节。进行光刻时，在硅片上涂抹光刻胶，掩膜上印有预先设计好的电路图 案，光线透过掩膜照射光刻胶，经显影液作用后光刻胶会在晶圆上形成与掩模版一致的 图形，再经蚀刻将掩模版上的图案转移到晶圆上。
光刻胶是半导体制造关键材料。光刻是精细线路图形加工中最重要的工艺，决定着芯片 的最小特征尺寸。通常半导体芯片在制造过程中需要进行 10-50 道光刻过程，占芯片制 造时间的 40-50%，占制造成本的 30%。光刻胶是光刻工艺中最重要的耗材，其质量和 性能与电子器件良品率、器件性能以及器件可靠性直接相关。根据 SEMI 数据，2021 年 光刻胶在全球晶圆制造材料市场中占比 6.1%。
复盘光刻胶标的走势，景气周期和自主可控共振。复盘 2021 年以来国内半导体光刻胶 标的股价走势两大因素影响较大：（1）半导体景气周期：光刻胶是半导体制造中的关键 耗材，市场需求会随半导体周期运行而发生波动；（2）自主可控：当前我国半导体光刻 胶大部分依赖进口，国外厂商的供应情况对国内晶圆厂影响大。2021 年初海外光刻胶龙 头部分光刻胶产品断供&国家大基金对南大光电子公司持股，叠加半导体上行周期驱动 了 2021 年光刻胶标股价上行；2021 年下半年开始，随着半导体上行周期逐步见顶，相 关标的股价逐渐回落；2022 年底，周期见底预期+国家大基金增持驱动光刻胶标的走势 再次上行。
根据显示效果的不同，光刻胶可分为正性和负性光刻胶。正性光刻胶在特定光线照射下 会发生反应并变成溶剂，曝光部分的光刻胶可以被清除。负性光刻胶中聚合物的短链分 子因光照而交联成为长链分子，曝光部分会因此硬化留在基底上，未曝光的光刻胶被清 除。
由于负性光刻胶显影时易变形和膨胀，分辨率通常只能达到 2 微米，因此正性光刻胶的 应用更为普及。
根据曝光波长的不同，目前市场上应用较多的光刻胶可分为 G 线、I 线、KrF、ArF 和 EUV5 种类型。光刻胶波长越短，加工分辨率越高。为适应集成电路线宽不断缩小的要 求，光刻胶波长也在不断缩短。g/i 线 年代，当时主流制程工艺 在 0.8-1.2μm，适用于波长 436nm 的光刻光源。到了 90 年代，制程进步到 0.35-0.5μm， 对应波长更短的 365nm 光源。当制程发展到 0.35μm 以下时，g/i 线光刻胶已经无法满足 制程工艺的需求，于是出现了适用于 248 纳米波长光源的 KrF 光刻胶，和 193 纳米波长 光源的 ArF 光刻胶，两者均是深紫外光刻胶。EUV（极紫外光）是目前最先进的光刻胶 技术，适用波长为 13.5nm 的紫外光，可用于 7nm 以下的先进制程，目前仅有 ASML 集 团掌握 EUV 光刻胶所对应的光刻机技术。
高阶制程的芯片并不只采用单一品种光刻胶作为主要材料；在晶圆上通常需要涂多层光 刻胶来完成芯片的电路设计，在部分区域的制程要求相对较低，为降低成本，晶圆厂只 会在最重要的区域使用高端光刻胶如 EUV 或 ArF/ArFi 产品，其余部分则采用技术性能 要求相对较低的 g/i 线nm 制程为例，全球 28nm 光刻胶产品 中，适配 250-130nm 制程的 KrF 光刻胶占比达到了 31%。
（二）下游扩产&制程升级驱动光刻胶市场成长，国产替代浪潮下国内增速高于全球
下游需求旺盛驱动半导体硅晶圆市场快速增长。5G、物联网、新能源汽车、人工智能 等新兴领域的高速成长贡献半导体市场新的需求增长点。据 SEMI 统计，2022 年全球硅 晶圆出货面积达 147.13 亿平方英寸，同比增长 3.9%，销售额达 138 亿美元，同比增长 9.5%，双双创历史新高。下游晶圆市场快速增长驱动下，半导体材料市场同步保持高速 增长。根据 SEMI数据，2022 年全球半导体材料市场规模达 727 亿美元，同比增长 8.9%， 其中晶圆制造材料市场达 447 亿美元，同比增长 10.5%。
预计晶圆厂产能持续扩张。受半导体下游市场强劲需求驱动，SEMI 预计未来几年全球 产能将持续扩张，其中全球 200mm 晶圆产能在 2021-2025 年间将增长 20%，2025 年达 到每月 700 万片以上；300mm 晶圆产能预计在 2023 年扩张放缓后继续保持高速增长， 于 2026 年达到每月 960 万片的历史新高。
大硅片占比提高&制程节点升级，驱动单位面积晶圆所需光刻胶价值量提升。根据 SEMI 数据，2000 年以来在摩尔定律推动下，12 英寸硅片出货面积持续提升，2021 年市 场份额已大幅提高至 68.47%，成为半导体硅片市场的主流产品，预计到 2022 年市场份 额将接近 70%。12 英寸芯片所用制程通常在 130nm 以下，且在持续向先进制程转移。 另外根据 SUMCO 统计，逻辑芯片中 28nm 以下先进制程占比由 2012 年的不足 10%提高 至 2021年的 60%以上。随着大硅片趋势&制程结构升级，高端光刻胶的需求将会进一步 提升，带动单位面积晶圆消耗的光刻胶价值量不断上升。
先进制程工艺多次曝光完成一次图形转移，提升半导体光刻胶使用量。集成电路进入 14nm 及以下工艺，有些关键工艺图形“线(line)”和“间距(space)”都小到一定程度， “线(line)”和“线(line)”之间由于光线干涉问题，会引起图形变形，从而导致产品良 率问题。在现阶段，为了尽可能利用低成本的 193nm 浸没式曝光机，使用“光刻-刻蚀光刻-刻蚀(LELE)”方式曝光，如图 17 通过四次曝光方式完成一次图形转移。这种方式 成本低于采用 EUV 光刻机曝光，但由于曝光次数增多光刻胶使用量大幅增加。
量价齐升带动半导体光刻胶规模增长。光刻胶是半导体制造的关键材料，在晶圆产能持 续扩张、单位面积晶圆耗用光刻胶价值量不断上升的驱动下，全球半导体光刻胶市场有 望保持稳健增长。根据 TECHCET数据，2021年全球光刻胶市场规模约为 21.4亿美元， 预计 2022 年将达到 23.0 亿美元，同比增长 7.5%，2026 年有望增长至 28.5 亿美金，2021~2026 5 年 CAGR 5.9%。
预计国内半导体光刻胶市场增速高于全球。根据 TrendBank 数据，2021 年国内半导体光 刻胶市场规模约 29 亿元，预计 2022 年将同比增长 35%达到 39.3 亿元。伴随着第三次半 导体产业转移，晶圆产能向大陆转移，我国大陆地区在全球半导体材料市场占比同步提 升，预计未来国内半导体光刻胶市场将保持高于全球市场的增速持续成长。
光刻胶产业链上游为原树脂、单体、感光剂、溶剂等光刻胶原材料；中游为基于配方的 光刻胶生产合成，下游主要为各芯片应用环节。由于光刻胶本身就是一种配方型的经验 学科，又高度影响光刻环节的精度和良率，因此在光刻胶产业链的三个环节都存在较高 壁垒。
光刻胶由树脂、光致产酸剂、溶剂和添加剂等混合而成。 树脂是光刻胶最核心的部分，是光刻胶的骨架。光刻胶树脂是一种惰性聚合物，可 以将光刻胶中的不同材料聚合在一起，同时在光照下会与光敏材料发生反应，使光 刻胶在显影液中的溶解度发生变化。光刻胶树脂决定曝光后光刻胶的基本性能，如 能达到的线宽、胶膜厚度、耐刻蚀性、附着力等。
光敏材料是光刻胶成分中的光敏感化合物，是光刻胶的重要组成部分。半导体光 刻胶用光敏材料主要分为 PAG（光致产酸剂，简称光酸，Photo-Acid Generator）和 PAC（感光化合物，Photo-Active Compound）。PAG 在吸收光之后产生酸，因此被 称为“光酸”；在曝光后烘烤(PEB)过程中，这些酸会作为催化剂使树脂上悬挂的酸 不稳定基团脱落，从而改变树脂的碱溶解性；PAG 主要运用于在化学放大型体光刻 胶中，包括 KrF、ArF、EUV 光刻胶。PAC 是重氮萘醌酯化合物，在光作用下从溶 解抑制剂转变为溶解促进剂，大多数都用在线性酚醛树脂体系光刻胶中，如 g 线/i 线光 刻胶。
溶剂主要用于将光刻胶的各组分分散其中，使光刻胶具备良好的流动性，目前半导 体光刻胶所用的溶剂主要是 PGEMA（丙二醇甲醚醋酸酯，即 PMA）。添加剂包括 活性剂、稳定剂等，用于控制和调节光刻胶的性能。
不同波长的半导体光刻胶组分存在较大差异。波长越短的光刻胶树脂含量越低，溶剂的 含量越高。G/I 线光刻胶中树脂的含量通常在 10-20%，KrF 光刻胶中为 7-10%，ArF、 EUV 光刻胶中树脂含量通常在 5%以下。
我国半导体光刻胶的上游核心原材料仍被国外厂商垄断。半导体光刻胶树脂通常为电子 级树脂，目前我国半导体光刻胶树脂特别是高端产品，基本依赖进口。如 KrF 光刻胶所 用的聚对羟基苯乙烯类树脂，国内厂商较少供应生产该类树脂的单体，同时树脂本身的 合成工艺也具有较大难度；ArF 树脂定制化程度较高，国际市场上仅能买到部分标准款 树脂，无法买到高端的 ArF 树脂。另外，由于高端光酸的合成和纯化难度较大，国内的 光酸厂商在质量稳定性等方面仍与国外存在差距，目前国内主要的光刻胶公司大多还是 使用进口的光酸。
除上游原材料壁垒外，半导体光刻胶国产化还具有配方、设备、客户验证等多重壁垒：
1）配方壁垒：配方是光刻胶的核心技术。各厂商的配方难以通过分析市场上的成品来 获得。为实现与已有供应商产品的性能和参数的完全匹配，光刻胶厂商首先需要对成百 上千个树脂、光酸和添加剂进行排列组合，其次还要不断对各成分的比例进行调整，以 实现和现有产品关键参数的完全匹配，这需要足够的研发资源、经验积累。
2）配套光刻机：光刻胶需要通过相应的光刻机进行测试和调整，目前国际光刻机龙头 厂商所在地区对我国实施技术封锁，国产光刻机产品较少，且技术水准与海外龙头有较 大差距，可供光刻胶厂商测试的资源较少。此外光刻机的购置和测试成本高昂，资金投 入要求极高。
3）量产稳定性：光刻胶的稳定性对下游晶圆厂极为重要。从实验室产品到量产，每批 次光刻胶产品间金属离子含量、分子量分布等都必须实现稳定一致。这其中的难点，一 是原材料的稳定供应，尤其是对于 KrF、ArF 等高端品种，其所需的单体、树脂种类较 多，并且在国际市场中仅能购买到基础款，因此能否稳定获取质量合格的光刻胶树脂具 有较大难度。二是在放大量产过程中金属离子的控制，由于存在环境控制效果不一样、 树脂后处理产品量不同、配胶时混合速度不一样且均匀度也不一样等问题，需要更高水 平的提纯技术和经验。
4）下游客户认证壁垒：由于光刻胶的品质会直接影响芯片性能、良率等，试错成本高， 客户验证需要经过 PRS（基础工艺考核）、STR（小批量试产）、MSTR（中批量试产）、 RELEASE（量产）四个阶段，验证周期在两年以上；此外光刻胶厂商的原材料供应商 也必须得到下游晶圆厂的认可，因此下游晶圆厂与光刻胶供应厂商的粘性较强，光刻胶 产品替代验证的时间成本极高。
半导体产业转移与光刻机产业崛起，造就日本长期以来的光刻胶霸主地位。1960s 前， 半导体产业最先在欧美等国家成熟发展，同时也促成了半导体制造关键材料—光刻胶在 这些国家的繁荣；1995年前美国一直保持着半导体光刻胶市场的龙头地位，特别是 IBM 在 1980s 早期就已经突破了 KrF 光刻胶。但由于当时市场的主流制程并非 KrF，IBM 的 KrF 光刻胶产品未能大规模量产。同时 1960s 起全球的半导体产业发生了由美国向日本 的第一次转移，现今的日本光刻胶龙头厂商开始逐步入局。光刻胶的进步需要光刻机的 配套，1986 年美国半导体市场滑坡，其光刻机研发也就此停滞；而日本光刻机厂商在半 导体产业发展的支撑下持续追赶，1995 年东京应化成功突破了 KrF 光刻胶。尽管 IBM 早已研发成功 KrF 光刻胶，但此时的光刻机主导地位已转移至日本，东京应化实现了 KrF 光刻胶的商业化销售，并标志着日本超越美国成为了光刻胶的龙头。在之后的第二 次、第三次半导体产业链转移中，日本仍保留了光刻胶产业，并一直保持龙头地位至今。
多家国际光刻胶厂商已实现 EUV 光刻胶量产。在光刻胶品种的量产进度上，日本东京 应化（TOK）、JSR、信越化学等厂商已经实现 EUV 光刻胶的量产。此外，2019 年日本 限制对韩国的 EUV 光刻胶出口后，韩国光刻胶厂商东进世美肯开始研发 EUV 光刻胶， 并在 2021 年通过了三星电子的可靠性认证；2022 年 12 月三星电子在其一条量产线上使 用了东进半导体的 EUV 光刻胶产品，标志着韩国也实现了 EUV 光刻胶的国产化量产突 破。
日美厂商垄断半导体光刻胶市场。根据富士经济数据，2020年全球 KrF光刻胶市场中， 东京应化、信越化学、美国陶氏化学、JSR 分别占据了 31.4%、21.9%、10.9%、21%的 市场份额，CR4 达 85%；ArF 光刻胶市场则基本由日本厂商占据，前四大厂商 JSR、信 越化学、住友化学、东京应化分别占比 25%、21.8%、16.8%、15.8%，CR4 达 80%。 EUV 光刻胶市场主要由东京应化占据一半份额，其余市场由信越化学、JSR 等占据。
国内半导体光刻胶国产化率极低，供应不稳定性催化半导体光刻胶自主可控需求。目前 国内实现产业化的光刻胶生产企业主要集中于 PCB及面板领域，半导体领域特别是高端 品种仍需进口。根据前瞻产业研究院数据，目前从事半导体用光刻胶研发和产业化的企 业则多以 i 线、g 线年国内 G 线、I 线%， KrF 以上的高端光刻胶品种基本处于研发状态，国产化率仅为 1%。2021 年初，日本光 刻胶龙头信越化学工厂遭遇地震产能受限，对国内部分晶圆厂限供/断供 KrF光刻胶，即 便其他国外厂商补充了部分产能，但仍存在较大缺口。此外近年来全球地缘政治摩擦加 剧，国内半导体产业对于关键材料自主可控的需求更加紧迫，国产光刻胶有望加速导入。
目前国内半导体光刻胶进展较快的公司包括彤程新材、华懋科技、晶瑞电材、上海新阳 等。分产品看：g/i线光刻胶：国内北京科华、徐州博康、苏州瑞红已实现大规模量产， 已导入国内头部半导体企业，市场份额逐渐提升。KrF 光刻胶：北京科华和徐州博康进 展较快，2022 年已有多个品种实现销售；此外苏州瑞红及上海新阳也实现了量产突破。 ArF 光刻胶：南大光电推出国内通过客户验证的第一只国产 ArF 光刻胶，并实现少量销 售，华懋科技、上海新阳也有相关产品进行测试导入。EUV 光刻胶：当前国内并无EUV 光刻机，各厂商 EUV 光刻胶尚处于理论研究阶段。
汽车被动安全业务掌握核心技术+优质客户深筑护城河，战略布局光刻胶业务打开新成 长空间。公司自 2002 年成立起即深耕于汽车被动安全领域，2021 年战略入股国内光刻 胶领先企业徐州博康入局光刻胶。公司汽车产品线覆盖汽车安全气囊布、安全气囊袋以 及安全带等被动安全系统部件。近年来随着国民汽车安全意识提高和相关法规完善、新 能源汽车快速渗透，汽车品牌更为注重安全配置升级，带动汽车安全气囊需求大幅增长。 安全气囊生产技术要求高、认证周期长，进入壁垒及市场集中度较高，公司经多年积累 已成为国内安全气囊布和安全气囊袋的主要供应商，市占率超 35%；旺盛需求下公司业 绩实现迅速增加：2022 年实现营收 16.37 亿元，同比+35.75%，其中高端产品 OPW 气囊 袋增速达 94.38%，来自新能源汽车主要主机厂的收入增速达 225.81%。
携手国内光刻胶领先企业布局光刻材料，实现光刻胶全产业链自主可控。公司战略入股 徐州博康，并与徐州博康共同设立东阳华芯布局光刻材料领域。徐州博康成立于 2010 年，专注于光刻胶原材料到成品的自主研发及生产，实现了从光刻胶单体、光刻胶专用 树脂、光酸剂及终产品光刻胶的国产化自主可控供应链，是国家 02 重大专项之“先进光 刻胶产品开发与产业化”项目中课题“ArF 光刻胶单体产品的开发与产业化”承担单位。截 至 2023 年 3 月末，徐州博康及其子公司拥有发明专利 60 多项，其光刻胶单体已经是日 韩知名光刻胶成品公司稳定供应商，研发、生产的光刻胶产品主要包括：ArF 光刻胶 26 款，涵盖 65nm、55nm、40nm、28nm 及以下的关键层工艺以及 LOGIC、3D NAND、 DRAM 等应用领域；KrF 光刻胶 30 款，涵盖 55nm、40nm、28nm 及以下的关键层工艺 以及集成电路、分立器件、传感器等应用领域；I line 光刻胶 15 款，涵盖高能注入、抗 刻蚀等关键层工艺以及 PAD、Lift-off等应用领域。目前徐州博康光刻胶产品已经实现向 部分国频芯片 IDM 厂商及科研院所量产供货，有多款高端光刻胶产品获得国内 12 寸晶圆厂的相关订单。
全球最大轮胎用特种材料供应商，半导体&面板光刻胶协同发展。公司业务涵盖电子材 料、汽车/轮胎用特种材料和全生物降解材料三大领域。公司是全球最大的轮胎橡胶用 特种酚醛树脂供应商，多年发展与国内外轮胎企业建立了长期稳定的业务合作，客户覆 盖全球轮胎 75 强，包括普利司通、米其林、固特异、马牌、倍耐力等国际知名轮胎企 业。公司电子材料业务主要涵盖半导体光刻胶及配套试剂、显示面板光刻胶和电子酚醛 树脂等产品；2020 年公司战略收购半导体光刻胶龙头厂商北京科华和国内首家 TFTLCD Array 光刻胶生产商北旭电子，同时充分发挥协同效应反溯核心原材料的开发，加 快公司电子酚醛树脂在光刻胶领域的开发及导入，成为国内光刻胶生产领域的龙头企业。
国内半导体光刻胶龙头生产商，产品性能领先实现业绩高增。公司半导体光刻胶产品种 类已涵盖国内 14nm 以上大部分工艺需求：公司 G 线光刻胶产品在国内占据较大市场份 额，I 线光刻胶产品已接近国际先进水平；公司是国内唯一可大量供货 KrF 光刻胶的生 产商，KrF 产品在 Poly、AA、Metal、TM/TV、Thick、Implant、Contact Hole 等工艺的 市占率持续攀升，且 DKN 系列 KrF 负性光刻胶取得量产突破，产品性能达到或超过国 外同类产品。2022 年公司半导体光刻胶业务实现营业收入 1.77 亿元，同比增长 53.48%； 半导体用 G/I 线光刻胶产品较上年同期增长 45.45%；KrF 光刻胶产品较上年同期增长 321.85%。公司生产的 I 线光刻胶和 KrF 光刻胶是国内 8-12 寸集成电路产线主要的本土 供应商，随着半导体光刻胶国产替代加速，公司光刻胶业务有望迎来迅速增加。
国内最大液晶正性光刻胶本土供应商。2022 年北旭电子实现销售收入 2.42 亿元，国内 市占率约为 19%，是国内本土第一大供应商，其中北旭产品在国内最大面板客户京东方 占有率约 45%以上。公司新品 4-Mask 高感度光刻胶产品满足 Array 工艺所有 Layer 适用， 突破了原有产品不能适用 Halftone 的瓶颈，新客户和量产销售正在不断扩展；另外针对 AMOLED 面板，公司开发的高性能的高分辨率光刻胶也已在客户端完成阶段性批量验 证，各项性能可完全匹配现有国外品牌产品，同时能实现较好的产品良率，正逐渐实现 量产。随着公司潜江工厂产能不断释放和国内面板其它头部客户逐步导入测试工作，公 司市占率有望进一步快速提升。
布局泛半导体材料及新能源材料两大方向，多产品线）泛半导体材 料：包括高纯化学品、光刻胶及配套材料、医药中间体等，其中在半导体用量最大的三 个高纯湿化学品——高纯双氧水、氨水及纯硫酸方面，公司产品品质已达到 SEMI 最高 等级 G5 水准，获得中芯国际、华虹宏力、长江存储、士兰微等国内知名半导体客户的 采购，成功填补半导体关键材料的国内空白。2）新能源材料：包括锂电池材料 NMP、 锂电池粘结剂、电解液等。NMP 是锂电池不可或缺的溶剂材料，占锂电池制造成本比 重通常可达 3%-6%。公司 NMP 产品已通过多项国际认证，是中国区唯一通过韩国三星 集团SDI公司认证合格的产品。随着新能源车产量持续增长，NMP市场空间广阔，根据 EVTank、高工锂电（GGII）等数据，2025 年全球锂电池 NMP 需求量约为 376 万吨，4 年 CAGR41%。2023 年 3 月公司拟增发募集 7.5 亿元扩充 NMP 等材料产能，以进一步抓 住行业发展机遇，扩大各电子材料产品类别市场占有率。
三十年光刻胶量产经验，国内 I 线光刻胶最大厂商之一。公司光刻胶产品由子公司苏州 瑞红生产，苏州瑞红自 1993 年开始规模化生产光刻胶，是国内少有的既有规模又有利 润的成熟光刻胶企业，其产品主要应用于半导体及显示面板领域，部分产品已占据国内 主要市场占有率：公司紫外负型光刻胶和宽谱正胶及部分 G 线等高端产品已规模供应市场 数十年；i 线光刻胶已向国内中芯国际、合肥长鑫等知名大尺寸半导体厂商供货，为我 国供应半导体光刻胶出货量最大的本土企业之一；KrF 高端光刻胶部分品种已量产；同 时已启动 ArF 高端光刻胶研发工作。近年来公司持续加大尖端光刻胶研发投入，斥资数 亿购入 2 台 ArF、KrF 光刻机及相关配套设备，牵头发起相关品种技术攻关及产业化项 目；随着产品序列逐步完善，公司光刻胶业务前景可期。
4、上海新阳：电镀、清洗、光刻、研磨四大工艺材料布局，光刻胶业务进展顺利
电镀、清洗技术国内领先，蚀刻液新品打破国外垄断。公司成立于 2004 年，多年发展 形成两大类业务：1）半导体材料：覆盖电镀、清洗、光刻、研磨四大工艺化学材料产 品；主要产品包括电镀液及添加剂、清洗液、光刻胶、封装材料及配套设备产品。公司 电镀和清洗两大核心技术已达到国内领先水平，电镀液及添加剂产品已覆盖 90-14nm 技 术节点；干法蚀刻后清洗液已经实现 14nm 以上技术节点全覆盖，20-14nm 电镀液及添 加剂已实现销售；用于存储器芯片的原创新产品氮化硅蚀刻液打破国外垄断，并与客户 共同开发、验证更高层级的产品系列；用于铜抛光后清洗液（PCMP）产品开发完成， 已进入到客户端；公司布局开发的研磨液（CMP）也已有成熟产品成功进入客户端实现 销售。2）环保功能性氟碳涂料：由子公司江苏考普乐生产，公司开发的喷涂型 PVDF 氟碳涂料国内市场占有率在 15%左右，位居全国前三。2022年公司筹划将考普乐挂牌新 三板，以逐步提升子公司核心竞争力，完善公司治理结构及推动上市公司整体战略目 标落地。 光刻胶持续突破，ArF 光刻胶进展顺利。2022年公司自主研发的 KrF 光刻胶产品通过认 证客户不断增加，已在国内主流晶圆制造厂商处实现供货；ArF、ArF-i 光刻胶方面研发 进展顺利，已经形成两个系列试验产品，样品已进入客户端来测试；且公司自购 ASML1900、1400 光刻机用于光刻胶产品测试。拥有完整自主可控知识产权的光刻胶产 品与应用即将形成公司的第三大核心技术，未来发展前景可期。
高纯电子材料领军企业，多产品线发力实现业绩高增。公司布局先进前驱体材料产品、 电子特气类产品和光刻胶及配套材料三大板块，产品广泛应用于集成电路、平板显示、 LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。先进前驱体板块包括 MO 源产 品及 ALD/CVD 前驱体材料；电子特气板块主要包括氢类电子特气磷烷、砷烷等及含氟 电子特气三氟化氮、六氟化硫及其副产品；光刻胶及配套材料方面公司正在自主研发和 实现 ArF 光刻胶（含干式及浸没式）产业化。2022 年公司前驱体产品客户导入提速，市 场份额逐步扩大，成为公司新的业绩增长点；销售、利润主力氢类特气产品产能建设加 快、规模经济效益凸显；推动公司实现业绩新突破：营收 15.8 亿元，同比+60.62%；归 母净利润 1.87 亿元，同比+37.07%；扣非净利润 1.26 亿元，同比+78.39%。
ArF 光刻胶产业化持续推进中。2017 及 2018 年公司分别获得国家 02 专项“高分辨率光 刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目”和“先进光刻胶开发和产业化项目”的正 式立项，并分别于 2020 年和 2021 年通过验收。公司研发的产品成为国内通过客户验证 的第一只国产ArF光刻胶，标志着国产先进光刻胶产业化取得关键性的突破。目前公司 产品已在下游客户存储芯片 50nm和逻辑芯片 55nm技术节点的产品上通过认证，同时多 款产品正在多家客户进行认证，ArF 光刻胶及配套材料项目所需的光刻车间和生产线已 建成，其中主要先进光刻设备如 ASML 浸没式光刻机已经完成安装并投入使用，搭建了 专业用于 ArF 光刻胶产品开发的检测评估平台，光刻胶及配套材料产品的研发、验证和 产业化持续推动中。此外公司光刻胶技术研发始终坚持完全自主化路线，光刻胶研发中 心具备了研制功能单体、功能树脂、光敏剂等光刻胶材料的能力，能够实现从光刻胶原 材料到光刻胶产品及配套材料的全部自主化。
致力推动前驱体材料国产突破，募资助力业绩广阔成长空间。2022 年 11 月公司发行可 转债 9 亿元用于先进制程前驱体产品产业化及电子特气产品扩产。1）先进制程用前驱 体：作为半导体制造的核心材料之一，先进制程发展对半导体前驱体材料提出更高要求， 并推动其市场需求不断增加。根据日本富士经济数据，预计 2024 年全球半导体前驱体 市场规模将由 2019 年的 12 亿美元增长至 20.21 亿美元，年复合增速达 11%；当前我国 先进制程半导体前驱体材料市场仍由国外企业占据，具备巨大的国产替代空间。本次募 投项目实施完毕后，南大光电将建成 4 种半导体先进制程用前驱体产品生产线，实现国 产先进制程前驱体材料进口替代。2）氢类电子特气及三氟化氮：公司氢类电子特气自 推出后有效打破国外长期垄断，在技术、品质、产能和销售各方面已跃居世界前列；三 氟化氮产品是公司目前南大光电收入贡献占比最多的产品类别，具有较高的毛利水平， 仍处于供不应求状态。本次扩产升级将利于公司进一步扩大业务规模、提升行业竞争力、 巩固电子特气业务领先地位。
6、雅克科技：全球前驱体&LNG 板材头部厂商，面板&半导体光刻胶逐步推进
公司是全球前驱体领先厂商，国内独家 LNG 板材厂。公司主营电子材料、LNG 保温绝 热板材、阻燃剂三大板块。其中电子材料业务包括半导体前驱体材料/SOD、光刻胶及 配套试剂、电子特气、硅微粉及 LDS 输送系统等。公司是全球前五大前驱体供应商之 一，产品在 DRAM 可以满足全球最先进存储芯片制程 1b、200X 层以上 NAND、逻辑芯 片 3 纳米的量产供应，客户包括镁光、铠侠、Intel、台积电、中芯国际、华虹宏力、长 江存储与合肥长鑫等国内外半导体芯片头部生产商。LNG 船保温绝热材料用于-162℃超 低温条件，是保证液化气储运安全性和经济性的核心技术之一，目前全球仅 3 家公司在 生产 LNG 保温板材，其中 2 家在韩国。公司是目前国内唯一一家通过 GTT 和船级社认证的 LNG 保温绝热板材供应商。23 年国内新增 LNG 船大规模放量，公司第二工厂建设 有续推进预计 2023 年底投产，LNG 板材业务空间广阔。
开拓高端显示光刻胶，半导体光刻胶持续推进。公司的光刻胶产品主要包括面板用正性 TFT 光刻胶、RGB 彩色光刻胶、CNT 防静电材料以及光刻胶配套试剂。据势银 （TrendBank）统计，2022 年中国大陆 LCD 光刻胶市场规模约 97 亿元，国产化率约 18.56%，预计随着面板逐渐恢复增长及产业链向我国大陆转移，国内面板光刻胶厂商将 迎快速增长。公司已与三星电子、LG Display、京东方、华星光电、惠科等知名面板供 应商建立合作关系；并持续开拓高端产品，2022 年公司自行研发的 OLED 用低温 RGB 光刻胶、CNT 防静电材料已经正式量产，CMOS 传感器用 RGB 光刻胶、先进封装 RDL 层用 I-Line 光刻胶等高端产品做客户测试导入阶段。此外，公司新增布局半导体光刻 胶领域，半导体制程光刻胶及SOC材料研发工作正在按计划推进中，并有产品进入测试 导入阶段。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）